Centre de documentation
scientifique

INP-based materials and devices / O. Wada (1999)

Public Titre : INP-based materials and devices : physics and technology Type de document : Monographie Auteurs : O. Wada, Éditeur scientifique ; H. Hasegawa, Éditeur scientifique Editeur : New York, Londres, Hoboken (New Jersey), ... : John Wiley & Sons Année de publication : 1999 Collection : Wiley Series in Microwave and Optical Engineering Importance : 592 p. Format : 16 x 24 cm ISBN/ISSN/EAN : 978-0-471-18191-0 Note générale : Bibliographie Langues : Anglais (eng) Descripteur : [Vedettes matières IGN] Physique [Termes IGN] électronique [Termes IGN] instrument électronique [Termes IGN] laser [Termes IGN] photodiode [Termes IGN] semi-conducteur [Termes IGN] transistor Résumé : (Editeur) Introducing one of the hottest technologies in the semiconductor industry, this collection of articles by international leading experts covers the state of the art of indium phosphide (InP)-based materials and devices. From current industry practices to cutting-edge developments to promising research trends, each chapter describes a particular aspect of the technology, giving scientists and engineers the necessary information, including physical principles and technical know-how, to design, apply, and troubleshoot these high-performance, low-cost components for diverse systems-TDM and WDM optical systems or microwave and millimeter-wave systems. The advantages and challenges still to overcome of InP-based semiconductors as compared with the more mature GaAs technology are also thoroughly reviewed. Presented in an easy-to-understand tutorial style, with topics cross-referenced between chapters, InP-Based Materials and Devices features more than 1,500 references as well as 365 figures and tables. Key topics include: * Basic materials physics involved in a wide range of InP-based compounds. * Growth of high-purity bulk and heterostructure epitaxy, including MOCVD, MBE, and GS-MBE. * Hetero-interface control and dry process techniques for device fabrication. * High-performance heterojunction-FETs and HEMTs as well as HBTs for high-speed IC and MMIC applications. * Lasers, amplifiers, and modulators as well as photodiodes and receivers for high-speed and WDM networks. * Optoelectronic integration and packing for functional, low-cost modules. Note de contenu : - Demand for InP-Based Optoelectronic Devices and Systems (J. Yoshida). - Applications of InP-Based Transistors for Microwave and Millimeter- Wave Systems (M. Matloubian). - Material Physics of InP-Based Compound Semiconductors (Y. Takeda). - InP Bulk Crystal Growth and Characterization (D. Bliss). - Metal-Organic Chemical Vapor Deposition of InP-Based Materials (T. Fukui). - InP and Related Compound Growth Based on MBE Technologies with Gaseous Sources (H. Heinecke). - Physics and Technological Control of Surfaces and Interfaces of InP-Based Materials (H. Hasegawa). - Dry Process Technique for InP-Based Materials (K. Asakawa). - Heterostructure Field Effect Transistors and Circuit Applications (J. Dickmann). - Heterojunction Bipolar Transistors and Circuit Applications (H.-F. Chau & W. Liu). - Lasers, Amplifiers, and Modulators Based on InP-Based Materials (N. Dutta). - Photodiodes and Receivers Based on InP Materials (K. Taguchi). - Hybrid Integration and Packaging of InP-Based Optoelectronic Devices (W. Hunziker). - Index Numéro de notice : 69588 Affiliation des auteurs : non IGN Nature : Recueil / ouvrage collectif Permalink : https://documentation.ensg.eu/index.php?lvl=notice_display&id=44838

Exemplaires(1)

Code-barres	Cote	Support	Localisation	Section	Disponibilité
69588-01	24.14	Livre	Centre de documentation	En réserve M-103	Disponible

Waveguide junction circulators / J. Helszajn (1998)

Public Titre : Waveguide junction circulators : theory and practice Type de document : Guide/Manuel Auteurs : J. Helszajn, Auteur Editeur : New York, Londres, Hoboken (New Jersey), ... : John Wiley & Sons Année de publication : 1998 Importance : 543 p. Format : 17 x 25 cm ISBN/ISSN/EAN : 978-0-471-98252-4 Note générale : Bibliographie Langues : Anglais (eng) Descripteur : [Vedettes matières IGN] Traitement du signal [Termes IGN] antenne [Termes IGN] semi-conducteur [Termes IGN] traitement du signal Index. décimale : 24.20 Traitement du signal Numéro de notice : 69589 Affiliation des auteurs : non IGN Thématique : IMAGERIE/POSITIONNEMENT Nature : Guide Permalink : https://documentation.ensg.eu/index.php?lvl=notice_display&id=38941

Introduction to radiometry and photometry / W.R. Mccluney (1994)

Public Titre : Introduction to radiometry and photometry Type de document : Guide/Manuel Auteurs : W.R. Mccluney, Auteur Editeur : Londres, Washington : Artech House Année de publication : 1994 Importance : 400 p. Format : 16 x 24 cm ISBN/ISSN/EAN : 978-0-89006-678-2 Note générale : Bibliographie Langues : Anglais (eng) Descripteur : [Vedettes matières IGN] Rayonnement électromagnétique [Termes IGN] capteur (télédétection) [Termes IGN] corps noir [Termes IGN] espace colorimétrique [Termes IGN] fonction de transfert de modulation [Termes IGN] méthode de Monte-Carlo [Termes IGN] modulation du signal [Termes IGN] photomètre [Termes IGN] photométrie [Termes IGN] radiance [Termes IGN] radiomètre [Termes IGN] radiométrie [Termes IGN] rayonnement électromagnétique [Termes IGN] rayonnement lumineux [Termes IGN] semi-conducteur [Termes IGN] système optique [Termes IGN] transformation intensité-teinte-saturation Index. décimale : 24.30 Rayonnement électromagnétique Numéro de notice : 44012 Affiliation des auteurs : non IGN Thématique : IMAGERIE Nature : Manuel Permalink : https://documentation.ensg.eu/index.php?lvl=notice_display&id=47674

Cours d'électronique, 2. Composants électroniques / F. Milsant (1976)

Public Titre de série : Cours d'électronique, 2 Titre : Composants électroniques Type de document : Guide/Manuel Auteurs : F. Milsant, Auteur Editeur : Paris : Eyrolles Année de publication : 1976 Importance : 242 p. Format : 16 x 24 cm Langues : Français (fre) Descripteur : [Vedettes matières IGN] Physique [Termes IGN] composant électronique [Termes IGN] diode [Termes IGN] électron [Termes IGN] semi-conducteur [Termes IGN] transistor Numéro de notice : 50297B Affiliation des auteurs : non IGN Nature : Manuel Permalink : https://documentation.ensg.eu/index.php?lvl=notice_display&id=48040

Voir aussi

• Cours d'électronique, 1. Circuits à régime variable / F. Milsant (1974)
• Cours d'électronique, 3. Amplification, circuits intégrés / F. Milsant (1974)
• Cours d'électronique, 4. Contre-réaction, oscillation, alimentation / F. Milsant (1975)

Exemplaires(1)

Code-barres	Cote	Support	Localisation	Section	Disponibilité
50297-01B	24.14	Livre	Centre de documentation	En réserve M-103	Disponible

Diodes et transistors / Gaston Fontaine (1969)

Public Titre : Diodes et transistors : théorie générale Type de document : Monographie Auteurs : Gaston Fontaine, Auteur Mention d'édition : 5 Editeur : Paris : Dunod Année de publication : 1969 Importance : 470 p. Format : 15 x 20 cm Langues : Français (fre) Descripteur : [Vedettes matières IGN] Physique [Termes IGN] diode [Termes IGN] émetteur [Termes IGN] polarisation [Termes IGN] radiofréquence [Termes IGN] semi-conducteur [Termes IGN] transistor Numéro de notice : 45752 Affiliation des auteurs : non IGN Nature : Monographie Permalink : https://documentation.ensg.eu/index.php?lvl=notice_display&id=58426

Exemplaires(1)

Code-barres	Cote	Support	Localisation	Section	Disponibilité
45752-01	24.14	Livre	Centre de documentation	En réserve M-103	Disponible

L'électronique des semiconducteurs / L. Chretien (1963)

Permalink